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隨著 AI 運算規模快速擴張，資料中心與 AI 系統的電力架構正面臨結構性轉型。當單顆 GPU 功耗逼1,000W、機架功率密度提升至100KW以上，供電效率、功率密度與散熱能力已成為限制算力發展的關鍵瓶頸，傳統矽基電力技術亦逐漸接近其設計極限。在此趨勢下，化合物半導體(GaN、SiC)憑藉高耐壓、高頻與高功率密度優勢，正加速導入 AI 伺服器與資料中心電源系統，並逐步邁向規模化應用。

本論壇將從應用需求、製造布局、材料技術與製程設備四大面向，探討化合物半導體在 AI 時代電力架構轉型中的關鍵角色，以及台灣供應鏈的技術機會與發展定位。

09:00 am - 09:35 am《報到》
09:35 am - 09:40 am《歡迎致詞&合照》
09:40 am - 10:05 am《GaN device and Power stage in AI Generation》碇基半導體 | 曾名祥 FAE資深技術經理
10:05 am - 10:30 am《AI 資料中心高效能電源解決方案的挑戰與創新》光寶科技 | 陳震 經理
10:30 am - 10:40 pm《中場休息》
10:40 am - 11:05 am《Powering the Future Through VIS’s Compound Semiconductor Platform​》世界先進積體電路 | 邱建維博士 業務開發處資深處長
11:05 am - 11:30 am《磊晶技術如何支撐新世代AI電力系統需求》嘉晶電子 | 何漢傑博士 技術開發處​處長
11:30 am - 11:55 am《Enabling Scalable GaN Epi Production Solutions for AI Related Applications》漢民科技 | 陳其賢博士 資深副總經理​
11:55 am - 12:00 pm《自由交流&閉幕》

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